igbt模块上市公司

⑴ IGBT模块什么品牌好

目前IGBT国际市场分布是这样的：
NO.1：英飞凌
NO.2：三菱，富士
N0.3：国内品牌

⑵ 国产封装IGBT模块有哪些型号规格参数

国产以IGBT、为代表的功率器件则是组成逆变器不可或缺的半导体器件，市场对功率器件的需求也会随着太阳能、风能等分布式能源的发展而进一步放大。海飞乐技术封装IGBT模块按照电压等级来分：600VIGBT模块，900VIGBT模块，1200VIGBT模块，1700VIGBT模块，3300VIGBT模块。按照电路来分：IGBT单管、半桥电路IGBT模块、全桥电路IGBT模块、推挽电路IGBT模块、三相桥电路IGBT模块，三电平IGBT模块。海飞乐技术封装IGBT模块可替换以下型号：
BSM50GB60DLC
BSM75GB60DLC
BSM100GB60DLC
BSM150GB60DLC
BSM200GB60DLC
BSM300GB60DLC
FF200R06KE3
FF300R06KE3
FF400R06KE3
F4-100R06KL4
F4-150R06KL4
F4-200R06KL4
FS10R06XL4
FS15R06XL4
FS20R06XL4
FS30R06XL4
FS50R06YL4
FS75R06KL4
FS100R06KL4
FS150R06KL4
FS200R06KL4
BSM30GD60DLC
BSM50GD60DLC
BSM75GD60DLC
BSM100GD60DLC
BSM150GD60DLC
BSM200GD60DLC
FS10R06VE3
FS15R06VE3
FS20R06VE3_B2
FS30R06VE3
FS50R06KE3
FS75R06KE3
FS100R06KE3
FS150R06KE3
FS200R06KE3
FP10R06KL4
FP15R06KL4
FP20R06KL4
BSM10GP60
BSM15GP60
BSM20GP60
BSM30GP60
BSM50GP60
BSM50GP60G
BSM75GP60
BSM100GP60
FP10R06YE3
FP20R06YE3
FP30R06YE3
BSM200GA120DN2
BSM300GA120DN2
BSM400GA120DN2
FZ800R12KF4
FZ1200R12KF4
FZ1600R12KF4
FZ1800R12KF4
FZ2400R12KF4
BSM200GA120DLCS
BSM300GA120DLC
BSM400GA120DLC
BSM600GA120DLC
FZ800R12KL4C
FZ1200R12KL4C
FZ1600R12KL4C
FZ1800R12KL4C
FZ2400R12KL4C
FZ400R12KS4
FZ600R12KS4
FZ800R12KS4_B2
FZ300R12KE3G
FZ400R12KE3
FZ600R12KE3
FZ800R12KE3
FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3
FZ2400R12KE3
FZ3600R12KE3
BSM50GB120DN2
BSM75GB120DN2
BSM100GB120DN2K
BSM100GB120DN2
BSM150GB120DN2
BSM200GB120DN2
FF400R12KF4
FF600R12KF4
FF800R12KF4
BSM50GB120DLC
BSM75GB120DLC
BSM100GB120DLCK
BSM100GB120DLC
BSM150GB120DLC
BSM200GB120DLC
BSM300GB120DLC
FF400R12KL4C
FF600R12KL4C
FF800R12KL4C
FF150R12KE3G
FF200R12KE3
FF300R12KE3
FF400R12KE3
FF600R12KE3
FF800R12KE3
FF1200R12KE3
FF150R12KT3G
FF200R12KT3
FF300R12KT3
FF400R12KT3
F4-50R12KS4
F4-75R12KS4
F4-100R12KS4
F4-150R12KS4
F4-400R12KS4_B2
BSM15GD120DN2
BSM25GD120DN2
BSM35GD120DN2
BSM50GD120DN2
BSM75GD120DN2
BSM100GD120DN2
BSM25GD120DN2E3224
BSM35GD120DN2E3224
BSM50GD120DN2E3226
FS300R12KF4
FS400R12KF4
BSM15GD120DLCE3224
BSM25GD120DLCE3224
BSM35GD120DLCE3224
BSM50GD120DLC
BSM75GD120DLC
BSM100GD120DLC
FS75R12KS4
FS100R12KS4
FS25R12KE3G
FS35R12KE3G
FS50R12KE3
FS75R12KE3
FS100R12KE3
FS150R12KE3
FS225R12KE3
FS300R12KE3
FS450R12KE3
FS10R12YT3
FS15R12YT3
FS25R12KT3
FS35R12KT3
FS50R12KT3
FS75R12KT3
FS75R12KT3G
FS100R12KT3
FS150R12KT3
BSM10GP120
BSM15GP120
BSM25GP120
BSM35GP120
BSM35GP120G
BSM50GP120
FP15R12KS4C
FP25R12KS4C
FP35R12KS4CG
FP50R12KS4C
FP10R12KE3
FP15R12KE3
FP25R12KE3
FP40R12KE3
FP40R12KE3G
FP50R12KE3
FP75R12KE3
FP10R12YT3
FP15R12YT3
FP15R12KT3
FP25R12KT3
FP40R12KT3
FP50R12KT3
FP75R12KT3
BSM75GAR120DN2
BSM300GAR120DLC
BSM75GAL120DN2
BSM100GAL120DN2
BSM300GAL120DLC
FD200R12KE3
FD300R12KE3
BSM200GA170DN2
BSM300GA170DN2
BSM300GA170DN2S
FZ800R16KF4
FZ1200R16KF4
FZ1800R16KF4
BSM200GA170DLC
BSM300GA170DLC
BSM400GA170DLC
FZ800R17KF6C_B2
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ1800R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ400R17KE3
FZ600R17KE3
FZ1200R17KE3
FZ1600R17KE3
FZ2400R17KE3
FZ3600R17KE3
BSM50GB170DN2
BSM75GB170DN2
BSM100GB170DN2
BSM150GB170DN2
FF400R16KF4
FF600R16KF4
BSM100GB170DLC
BSM150GB170DLC
BSM200GB170DLC
FF400R17KF6C_B2
FF600R17KF6C_B2
FF800R17KF6C_B2
FF200R17KE3
FF300R17KE3
FF600R17KE3
FF800R17KE3
FF1200R17KE3
FS300R16KF4
BSM50GD170DL
BSM75GD170DL
FS75R17KE3
FS100R17KE3
FS150R17KE3
FS225R17KE3
FS300R17KE3
FS450R17KE3
FD400R16KF4
FD600R16KF4
FD401R17KF6C_B2
FD600R17KF6C_B2
FD800R17KF6C_B2
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
FZ800R33KL2C
FZ1200R33KL2C
FF200R33KF2C
FF400R33KF2C
FD400R33KF2C
FD400R33KF2C-K
FD800R33KF2C
FD800R33KF2C-K
FD800R33KL2C-K_B5
FZ200R65KF1
FZ400R65KF1
FZ600R65KF1
FD200R65KF1-K
FD400R65KF1-K

⑶ IGBT模块的命名规则

其他的还好说，小日本的命名规则混乱的很，我曾经整理过，比较混乱

⑷ igbt模块的发展历史

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。
80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来，通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。
90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。
硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通(NPT)结构，继而变化成弱穿通(LPT)结构，这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。
这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”(SPT)或“电场截止”(FS)型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。
1996年，CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。
大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，已制造出集成化的IGBT专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。

⑸ 能介绍一下igbt模块最好品牌是哪个吗

当然是安森美半导体了，这是业内公认的。安森美半导体美国纳斯达克上市，在半导体领域是数一数二的了吧。在IGBT方面知识产权和专利很多，自1999年就是为美国半导体业协会（SIA）会员。

⑹ IGBT模块主要有那些品牌主要应用领域是那些

有很多,日本富士,德国的.等等,台湾也有.

⑺ 请问igbt模块用在哪些行业。

高端领域：机车牵引，包括现在的动车、高铁；风力发电也会用到；
工业领域：变频器、电焊机、伺服驱动器、逆变电源、Solar、感应加热等；
家电领域：变频空调、洗衣机等都有用到。

⑻ 什么是IGBT模块

IGBT()，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成回的复合全答控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
网络都有啊
IGBT模块品牌很多，目前infineon，三菱，富士是比较大的份额，国内封装的银茂微也有一定市场。每一家的芯片都有自己的一些特点，所以在应用中尤其注意驱动的使用...
还有保护。IGBT有单管器件，单管模块，半桥模块，H桥，FF桥，PI...拓扑。二电平，三电平已经广泛的应用开了。