pftm外匯

Ⅰ bc549三極體參數

三極體的參數解釋
λ---光譜半寬度
VF---正向壓降差
Vz---穩壓范圍電壓增量
av---電壓溫度系數
a---溫度系數
BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓
BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
Cib---共基極輸入電容
Cic---集電結勢壘電容
Cieo---共發射極開路輸入電容
Cies---共發射極短路輸入電容
Cie---共發射極輸入電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cjo---零偏壓結電容
Cjv---偏壓結電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cn---中和電容（外電路參數）
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coeo---共發射極開路輸出電容
Coe---共發射極輸出電容
Co---零偏壓電容
Co---輸出電容
Cp---並聯電容（外電路參數）
Cre---共發射極反饋電容
Cs---管殼電容或封裝電容
CTC---電容溫度系數
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
Ct---總電容
Cvn---標稱電容
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
D---占空比
ESB---二次擊穿能量
fmax---最高振盪頻率。當三極體功率增益等於1時的工作頻率
fT---特徵頻率
f---頻率
h RE---共發射極靜態電壓反饋系數
hFE---共發射極靜態電流放大系數
hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
hIE---共發射極靜態輸入阻抗
hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
hOE---共發射極靜態輸出電導
hoe---共發射極小信號開路輸出導納
hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
IAGC---正向自動控制電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流
Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
ICM---最大輸出平均電流
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
ID---暗電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流
IEM---發射極峰值電流
IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
IF（AV）---正向平均電流
IF(ov)---正向過載電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IFMP---正向脈沖電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
iF---正向總瞬時電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
Iop---工作電流
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IP---峰點電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
Irp---反向恢復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
ir---反向恢復電流
iR---反向總瞬時電流
ISB---二次擊穿電流
Is---穩流二極體穩定電流
IV---谷點電流
Izk---穩壓管膝點電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
n---電容變化指數；電容比
PB---承受脈沖燒毀功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pc---集電極耗散功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
PGM---門極峰值功率
PG---門極平均功率
Pi---輸入功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
Pn---雜訊功率
Pomax---最大輸出功率
Posc---振盪功率
Po---輸出功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Ptot---總耗散功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
Q---優值（品質因素）
r δ---衰減電阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r(th)---瞬態電阻
rbb分鍾Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
rbb分鍾---基區擴展電阻（基區本徵電阻）
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）
RB---外接基極電阻（外電路參數）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）
RE---射頻電阻
RE---外接發射極電阻（外電路參數）
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RG---信號源內阻
rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
RL---負載電阻
RL---負載電阻（外電路參數）
roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth---熱阻
Rth----熱阻
Rz(ru)---動態電阻
Ta---環境溫度
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
td----延遲時間
tfr---正向恢復時間
tf---下降時間
tf---下降時間
tgt---門極控制極開通時間
tg---電路換向關斷時間
Tjm---最大允許結溫
Tjm---最高結溫
Tj---結溫
toff---關斷時間
toff---關斷時間
ton---開通時間
ton---開通時間
trr---反向恢復時間
tr---上升時間
tr---上升時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
Tstg---貯存溫度
ts---存儲時間
ts---存貯時間
Ts---結溫
V n---雜訊電壓
V v---谷點電壓
V（BR）---擊穿電壓
VAGC---正向自動增益控制電壓
VB2B1---基極間電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VBE---基極發射極（直流）電壓
VB---反向峰值擊穿電壓
VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCB---集電極-基極（直流）電壓
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
VCE---集電極-發射極（直流）電壓
Vc---整流輸入電壓
VDRM---斷態重復峰值電壓
VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEB---飽和壓降
VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VF（AV）---正向平均電壓
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓
Vn(p-p)---輸入端等效雜訊電壓峰值
Vn---中心電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vo---交流輸入電壓
Vp---穿通電壓。
Vp---峰點電壓
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VSB---二次擊穿電壓
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
Vz---穩定電壓
δvz---穩壓管電壓漂移
η---單結晶體管分壓比或效率
λp---發光峰值波長

Ⅱ 二極體的參數符號

CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， ；表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- ；發光二極體起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
Ⅳ---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r ；δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ ；λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重復峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓、死區電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓

Ⅲ 半導體二極體的參數符號

半導體二極體參數符號解釋
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流 管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

Ⅳ 二極體參數大全

二極體參數符號：

CT---勢壘電容

Cj---結（極間）電容， ；表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容

Cjv---偏壓結電容

Co---零偏壓電容

Cjo---零偏壓結電容

Cjo/Cjn---結電容變化

Cs---管殼電容或封裝電容

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比

CTC---電容溫度系數

Cvn---標稱電容

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流

IF（AV）---正向平均電流

IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。

IH---恆定電流、維持電流。

Ii--- ；發光二極體起輝電流

IFRM---正向重復峰值電流

IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）

Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)---正向過載電流

IL---光電流或穩流二極體極限電流

ID---暗電流

IB2---單結晶體管中的基極調制電流

IEM---發射極峰值電流

IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

IFMP---正向脈沖電流

IP---峰點電流

Ⅳ---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發電流

IGD---晶閘管控制極不觸發電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IR（AV）---反向平均電流

η---單結晶體管分壓比或效率

VB---反向峰值擊穿電壓

Vc---整流輸入電壓

VB2B1---基極間電壓

VBE10---發射極與第一基極反向電壓

VEB---飽和壓降

VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF---正向壓降（正向直流電壓）

△VF---正向壓降差

VDRM---斷態重復峰值電壓

VGT---門極觸發電壓

VGD---門極不觸發電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

(4)pftm外匯擴展閱讀：

其他參數：

PMP---最大漏過脈沖功率

PMS---最大承受脈沖功率

Po---輸出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---總耗散功率

Pomax---最大輸出功率

Psc---連續輸出功率

PSM---不重復浪涌功率

二極體的正負二個端子。正端A稱為陽極，負端K ；稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。一些初學者容易產生這樣一種錯誤認識：「半導體的一『半』是一半的『半』；而二極體也是只有一『半』電流流動（這是錯誤的），所有二極體就是半導體 ；」。其實二極體與半導體是完全不同的東西。我們只能說二極體是由半導體組成的器件。半導體無論那個方向都能流動電流。

參考資料：

二極體-網路