砷化鎵化合物中國上市公司

1. 砷化鎵是什麼化學物

化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不為非氧內化性的酸侵蝕。容
一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。化學式GaAs，分子量144.63，屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵於1964年進入實用階段。砷化鎵可以製成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來製作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比硅大5～6倍，故在製作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、雜訊小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用於製作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優點的材料,但用它製作的晶體三極體的放大倍數小，導熱性差，不適宜製作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的性能，但由於它在高溫下分解，故要生長理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

2. 半導體材料有哪些

鍺和硅是最常用的抄元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

3. 下列具有特殊性能的材料中，由主族元素和副族元素形成的化合物是（） A．半導體材料砷化鎵 B．吸

4. 國內生產製造半導體工藝的廠家有哪些

有很多，例如：TSMC台積電，聯電（台灣），中芯國際，宏力，華虹NEC，先進半導體ASMC等等。
半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

5. 砷化鎵屬於哪類化合物

GaAs是原子晶體復，共價化合物。制其晶體結構是閃鋅礦結構，它由面心立方晶格套構而成。每個Ga原子與它周圍四個As原子間靠共價鍵結合。但是砷化鎵中的Ga-As原子間的鍵合，不是純粹的共價鍵，由於Ga、As的負電性差異產生極性，稱為極性鍵，具有離子鍵的特徵，因此砷化鎵中離子鍵成分大約37%。