igbt模塊上市公司

⑴ IGBT模塊什麼品牌好

目前IGBT國際市場分布是這樣的：
NO.1：英飛凌
NO.2：三菱，富士
N0.3：國內品牌

⑵ 國產封裝IGBT模塊有哪些型號規格參數

國產以IGBT、為代表的功率器件則是組成逆變器不可或缺的半導體器件，市場對功率器件的需求也會隨著太陽能、風能等分布式能源的發展而進一步放大。海飛樂技術封裝IGBT模塊按照電壓等級來分：600VIGBT模塊，900VIGBT模塊，1200VIGBT模塊，1700VIGBT模塊，3300VIGBT模塊。按照電路來分：IGBT單管、半橋電路IGBT模塊、全橋電路IGBT模塊、推挽電路IGBT模塊、三相橋電路IGBT模塊，三電平IGBT模塊。海飛樂技術封裝IGBT模塊可替換以下型號：
BSM50GB60DLC
BSM75GB60DLC
BSM100GB60DLC
BSM150GB60DLC
BSM200GB60DLC
BSM300GB60DLC
FF200R06KE3
FF300R06KE3
FF400R06KE3
F4-100R06KL4
F4-150R06KL4
F4-200R06KL4
FS10R06XL4
FS15R06XL4
FS20R06XL4
FS30R06XL4
FS50R06YL4
FS75R06KL4
FS100R06KL4
FS150R06KL4
FS200R06KL4
BSM30GD60DLC
BSM50GD60DLC
BSM75GD60DLC
BSM100GD60DLC
BSM150GD60DLC
BSM200GD60DLC
FS10R06VE3
FS15R06VE3
FS20R06VE3_B2
FS30R06VE3
FS50R06KE3
FS75R06KE3
FS100R06KE3
FS150R06KE3
FS200R06KE3
FP10R06KL4
FP15R06KL4
FP20R06KL4
BSM10GP60
BSM15GP60
BSM20GP60
BSM30GP60
BSM50GP60
BSM50GP60G
BSM75GP60
BSM100GP60
FP10R06YE3
FP20R06YE3
FP30R06YE3
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BSM300GA120DN2
BSM400GA120DN2
FZ800R12KF4
FZ1200R12KF4
FZ1600R12KF4
FZ1800R12KF4
FZ2400R12KF4
BSM200GA120DLCS
BSM300GA120DLC
BSM400GA120DLC
BSM600GA120DLC
FZ800R12KL4C
FZ1200R12KL4C
FZ1600R12KL4C
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FZ600R12KS4
FZ800R12KS4_B2
FZ300R12KE3G
FZ400R12KE3
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FZ800R12KE3
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FZ2400R12KE3
FZ3600R12KE3
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BSM75GB120DN2
BSM100GB120DN2K
BSM100GB120DN2
BSM150GB120DN2
BSM200GB120DN2
FF400R12KF4
FF600R12KF4
FF800R12KF4
BSM50GB120DLC
BSM75GB120DLC
BSM100GB120DLCK
BSM100GB120DLC
BSM150GB120DLC
BSM200GB120DLC
BSM300GB120DLC
FF400R12KL4C
FF600R12KL4C
FF800R12KL4C
FF150R12KE3G
FF200R12KE3
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FF400R12KE3
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FF1200R12KE3
FF150R12KT3G
FF200R12KT3
FF300R12KT3
FF400R12KT3
F4-50R12KS4
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F4-400R12KS4_B2
BSM15GD120DN2
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BSM100GD120DN2
BSM25GD120DN2E3224
BSM35GD120DN2E3224
BSM50GD120DN2E3226
FS300R12KF4
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BSM15GD120DLCE3224
BSM25GD120DLCE3224
BSM35GD120DLCE3224
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FS35R12KT3
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FS75R12KT3G
FS100R12KT3
FS150R12KT3
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BSM15GP120
BSM25GP120
BSM35GP120
BSM35GP120G
BSM50GP120
FP15R12KS4C
FP25R12KS4C
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FP50R12KS4C
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FP15R12KE3
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FP40R12KE3G
FP50R12KE3
FP75R12KE3
FP10R12YT3
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FP40R12KT3
FP50R12KT3
FP75R12KT3
BSM75GAR120DN2
BSM300GAR120DLC
BSM75GAL120DN2
BSM100GAL120DN2
BSM300GAL120DLC
FD200R12KE3
FD300R12KE3
BSM200GA170DN2
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FZ800R16KF4
FZ1200R16KF4
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FZ800R17KF6C_B2
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FZ1800R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ400R17KE3
FZ600R17KE3
FZ1200R17KE3
FZ1600R17KE3
FZ2400R17KE3
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FF200R17KE3
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FF800R17KE3
FF1200R17KE3
FS300R16KF4
BSM50GD170DL
BSM75GD170DL
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FS150R17KE3
FS225R17KE3
FS300R17KE3
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FD600R16KF4
FD401R17KF6C_B2
FD600R17KF6C_B2
FD800R17KF6C_B2
FZ800R33KF2C
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FZ1200R33KL2C
FF200R33KF2C
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FD400R33KF2C
FD400R33KF2C-K
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FD800R33KL2C-K_B5
FZ200R65KF1
FZ400R65KF1
FZ600R65KF1
FD200R65KF1-K
FD400R65KF1-K

⑶ IGBT模塊的命名規則

其他的還好說，小日本的命名規則混亂的很，我曾經整理過，比較混亂

⑷ igbt模塊的發展歷史

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強鹼濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用於功率MOSFET製造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被採用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅晶元的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計。後來，通過採用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個顯著改進，這是隨著矽片上外延的技術進步，以及採用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當中，這種在採用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構，其設計規則從5微米先進到3微米。
90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是採用從大規模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型晶元結構。[4]在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。
硅晶元的重直結構也得到了急劇的轉變，先是採用非穿通(NPT)結構，繼而變化成弱穿通(LPT)結構，這就使安全工作區(SOA)得到同表面柵結構演變類似的改善。
這次從穿通(PT)型技術先進到非穿通(NPT)型技術，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通(PT)技術會有比較高的載流子注入系數，而由於它要求對少數載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面，非穿通(NPT)技術則是基於不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數卻比較低。進而言之，非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替，它類似於某些人所謂的「軟穿通」(SPT)或「電場截止」(FS)型技術，這使得「成本—性能」的綜合效果得到進一步改善。
1996年，CSTBT(載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模塊得以實現[6]，它採用了弱穿通(LPT)晶元結構，又採用了更先進的寬元胞間距的設計。包括一種「反向阻斷型」(逆阻型)功能或一種「反向導通型」(逆導型)功能的IGBT器件的新概念正在進行研究，以求得進一步優化。
IGBT功率模塊採用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT晶元，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用於變頻調速外，600A/2000V的IPM已用於電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用於艦艇上的導彈發射裝置。IPEM採用共燒瓷片多晶元模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統效率，現已開發成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。
大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外，已製造出集成化的IGBT專用驅動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。

⑸ 能介紹一下igbt模塊最好品牌是哪個嗎

當然是安森美半導體了，這是業內公認的。安森美半導體美國納斯達克上市，在半導體領域是數一數二的了吧。在IGBT方面知識產權和專利很多，自1999年就是為美國半導體業協會（SIA）會員。

⑹ IGBT模塊主要有那些品牌主要應用領域是那些

有很多,日本富士,德國的.等等,台灣也有.

⑺ 請問igbt模塊用在哪些行業。

高端領域：機車牽引，包括現在的動車、高鐵；風力發電也會用到；
工業領域：變頻器、電焊機、伺服驅動器、逆變電源、Solar、感應加熱等；
家電領域：變頻空調、洗衣機等都有用到。

⑻ 什麼是IGBT模塊

IGBT()，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成回的復合全答控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
網路都有啊
IGBT模塊品牌很多，目前infineon，三菱，富士是比較大的份額，國內封裝的銀茂微也有一定市場。每一家的晶元都有自己的一些特點，所以在應用中尤其注意驅動的使用...
還有保護。IGBT有單管器件，單管模塊，半橋模塊，H橋，FF橋，PI...拓撲。二電平，三電平已經廣泛的應用開了。